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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ESD PROTECTED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 125 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 63 A | 最大漏极电流 (ID)： | 63 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHP66N03LT | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 66 A, 25 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, |
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| PHP66NQ03LT | NXP |
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N-channel TrenchMOS transistor |
|
| PHP66NQ03LT,127 | NXP |
获取价格 |
PHP66NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin |
|
| PHP69N03LT | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
|
| PHP69N03T | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| PHP69NLT | ETC |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| PHP6N10E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| PHP6N10E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 6.3 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur |
|
| PHP6N28T | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB |
|
| PHP6N50E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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