PHP60N06LT

更新时间： 2024-02-25 09:31:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
9页	74K
描述
TrenchMOS transistor Logic level FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PHP60N06LT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	58 A	最大漏极电流 (ID)：	58 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	235 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	232 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	225 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

PHP60N06LT 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

TrenchMOS transistor

Logic level FET

PHP60N06LT, PHB60N06LT

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Very low on-state resistance

• Fast switching

• Stable off-state characteristics

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_DSS= 55 V

I_D= 58 A

_DS(ON)≤ 20 mΩ (V_GS= 5 V)

_DS(ON)≤ 18 mΩ (V_GS= 10 V)

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching

applications.

The PHP60N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB60N06LT is supplied in the SOT404 surface mounting package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404

DESCRIPTION

tab

gate

drain¹

source

drain

tab

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

± 13

˚C

T_mb= 25 ˚C

T_mb= 100 ˚C

T_mb= 25 ˚C

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

232

150

175

- 55

1 It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

January 1998

Rev 1.300

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与PHP60N06LT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHP60N06LT127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 58 A, 55 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo
PHP60N06T	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP63NQ03LT	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
PHP63NQ03LT,127	NXP	获取价格	PHP63NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
PHP65N06LT	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP65N06LT127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 63 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
PHP65N06T	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP66N03LT	NXP	获取价格	TRANSISTOR 66 A, 25 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46,
PHP66NQ03LT	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PHP66NQ03LT,127	NXP	获取价格	PHP66NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin

与PHP60N06LT相关文章

解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
2024-08-20

15
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
2024-08-14

78
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

140
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

188

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PHP60N06LT

PHP60N06LT 技术参数

PHP60N06LT 数据手册

与PHP60N06LT相关器件

与PHP60N06LT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PHP60N06LT

PHP60N06LT 技术参数

PHP60N06LT 数据手册

与PHP60N06LT相关器件

与PHP60N06LT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？