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PHP52N06T,127

更新时间： 2024-02-29 13:01:28

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	201K
描述
PHP52N06T - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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PHP52N06T,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A	最大漏极电流 (ID)：	52 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	118 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	208 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHP52N06T,127 数据手册

PHP52N06T

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 25 February 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

Suitable for thermally demanding

on-state resistance

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Uninterruptible power supplies

Switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 3 and 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

120

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 40 A;

V_DS= 44 V; T_j= 25 °C;

see Figure 11

11.5

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 175 °C; see Figure 9 and 10

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 9 and 10

12 3 4 5 6 7...13

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PHP52N06T,127 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFZ14PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
FDP025N06	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.5m

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PHP55N03LTA	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP55N03T	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP55N04LT	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 35V V(BR)DSS \| 55A I(D) \| TO-220AB
PHP5N20E	NXP	获取价格	PowerMOS transistor
PHP5N40	NXP	获取价格	PowerMOS transistor
PHP5N40E	NXP	获取价格	PowerMOS transistor
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