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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PHP50N03LT
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PHP50N03LT

更新时间： 2024-01-27 13:11:09
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 111K
描述
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET

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PHP50N03LT 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：94 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

PHP50N03LT 数据手册

 浏览型号PHP50N03LT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PHP50N03LT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PHP50N03LT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PHP50N03LT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PHP50N03LT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PHP50N03LT的Datasheet PDF文件第7页 
Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel TrenchMOS transistor  
Logic level FET  
PHP50N03LT, PHB50N03LT  
PHD50N03LT  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• ’Trench’ technology  
• Very low on-state resistance  
• Fast switching  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
• Logic level compatible  
VDSS = 25 V  
ID = 48 A  
R
DS(ON) ≤ 16 mΩ (VGS = 10 V)  
g
RDS(ON) ≤ 21 mΩ (VGS = 5 V)  
s
GENERAL DESCRIPTION  
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.  
Applications:-  
• High frequency computer motherboard d.c. to d.c. converters  
• High current switching  
The PHP50N03LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.  
The PHB50N03LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.  
The PHD50N03LT is supplied in the SOT428 (DPAK)surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404 (D2PAK)  
SOT428 (DPAK)  
tab  
tab  
PIN  
1
DESCRIPTION  
tab  
gate  
2
drain 1  
source  
2
2
3
1 2 3  
1
3
1
3
tab drain  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
Drain-source voltage  
Tj = 25 ˚C to 175˚C  
Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ  
-
-
-
-
25  
25  
± 15  
V
V
V
V
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage (DC)  
Gate-source voltage (pulse  
peak value)  
VGSM  
Tj ≤ 150˚C  
± 20  
ID  
Drain current (DC)  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
-
48  
34  
180  
A
A
A
IDM  
Drain current (pulse peak  
value)  
Ptot  
Tj, Tstg  
Total power dissipation  
Operating junction and  
storage temperature  
Tmb = 25 ˚C  
-
86  
175  
W
˚C  
- 55  
1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 or SOT428 packages.  
October 1999  
1
Rev 1.800  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHP50N03T NXP

获取价格

 		TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP50N06 NXP

获取价格

 		PowerMOS transistor
PHP50N06LT NXP

获取价格

 		TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP50N06T NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 50 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
PHP50N06T PHILIPS

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