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PHP45NQ15T

更新时间： 2024-01-17 00:53:58

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恩智浦 - NXP		/
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13页	85K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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PHP45NQ15T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45.1 A
最大漏极电流 (ID)：	45.1 A	最大漏源导通电阻：	0.042 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90.2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHP45NQ15T 数据手册

PHP/PHB45NQ15T

N-channel TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 8 November 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode ﬁeld effect transistor in a plastic package

using TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Low on-state resistance

■ Low thermal resistance

■ Fast switching

■ Low gate charge.

1.3 Applications

■ DC-to-DC primary side switching

■ AC-to-DC secondary side

rectiﬁcation.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 150 V

■ I_D≤ 45.1 A

■ R_DSon≤ 42 mΩ

■ Q_gd= 10.3 nC (typ).

2. Pinning information

Table 1:

Discrete pinning

Pin Description

Simpliﬁed outline

Symbol

gate

[1]

drain

source

mb mounting base;

connected to drain

mbb076

2 3

SOT78 (TO-220AB)

SOT404 (D²-PAK)

[1] It is not possible to make a connection to pin 2 of the SOT404 package.

12 3 4 5 6 7...13

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