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PHP47NQ10T,127

更新时间： 2024-02-02 09:28:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 256K
描述
PHP47NQ10T - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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PHP47NQ10T,127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A最大漏极电流 (ID)：47 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：166 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：187 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PHP47NQ10T,127 数据手册

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PHP47NQ10T; PHB47NQ10T  
N-channel enhancement mode field-effect transistor  
Rev. 01 — 16 May 2001  
Product data  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology.  
Product availability:  
PHP47NQ10T in SOT78 (TO-220AB)  
PHB47NQ10T in SOT404 (D2-PAK).  
2. Features  
■ Fast switching  
■ Very low on-state resistance.  
3. Applications  
■ DC to DC converters  
■ Switched mode power supplies.  
c
c
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
[1]  
2
drain (d)  
3
source (s)  
d
s
mb  
mounting base;  
connected to  
drain (d)  
g
2
1
3
MBK116  
MBB076  
MBK106  
1
2 3  
SOT404 (D2-PAK)  
SOT78 (TO-220AB)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.  
1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.  
1234567...14

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PHP47NQ10T,127 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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