PHP45NQ10T

更新时间： 2024-01-04 23:14:18

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-channel TrenchMOS transistor

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PHP45NQ10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	260 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A
最大漏极电流 (ID)：	47 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	188 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHP45NQ10T 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHB45NQ10T, PHP45NQ10T

PHW45NQ10T

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Very low on-state resistance

• Fast switching

V_DSS= 100 V

I_D= 47 A

• Low thermal resistance

R_DS(ON)≤ 25 mΩ

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

Applications:-

• d.c. to d.c. converters

• switched mode power supplies

The PHP45NQ10T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB45NQ10T is supplied in the SOT404 (D²PAK) surface mounting package.

The PHW45NQ10T is supplied in the SOT429 (TO247) conventional leaded package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404 (D²PAK)

SOT429 (TO247)

DESCRIPTION

tab

gate

drain¹

source

tab drain

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

100

± 20

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

T_mb= 25 ˚C

188

150

175

˚C

- 55

1 It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

August 1999

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7...11

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