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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 260 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 47 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 188 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHP45NQ11T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| PHP45NQ15T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| PHP45NQ15T,127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 45.1 A, 150 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-4 |
|
| PHP47NQ10T | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| PHP47NQ10T,127 | NXP |
获取价格 |
PHP47NQ10T - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
|
| PHP4N40E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
|
| PHP4N40E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 4.4 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
|
| PHP4N50E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| PHP4N60E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
|
| PHP4N60E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
|
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