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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PHP45N03LTA
PHP45N03LTA PDF预览

PHP45N03LTA

更新时间： 2024-09-29 22:15:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 279K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

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PHP45N03LTA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：65 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PHP45N03LTA 数据手册

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PHP/PHB/PHD45N03LTA  
N-channel enhancement mode field-effect transistor  
Rev. 02 — 02 November 2001  
Product data  
1. Description  
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology.  
Product availability:  
PHP45N03LTA in SOT78 (TO-220AB)  
PHB45N03LTA in SOT404 (D2-PAK)  
PHD45N03LTA in SOT428 (D-PAK).  
2. Features  
■ Low on-state resistance  
■ Fast switching.  
3. Applications  
■ Computer motherboard high frequency DC to DC converters.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78, SOT404, SOT428 simplified outline and symbol  
Pin Description  
Simplified outline  
Symbol  
1
2
3
gate (g)  
d
s
mb  
mb  
mb  
[1]  
drain (d)  
source (s)  
g
mb mounting base,  
connected to drain (d)  
MBB076  
2
2
1
3
1
3
Top view  
MBK091  
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  
SOT404 (D2-PAK)  
SOT428 (D-PAK)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 and SOT428 packages.  
1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.  
1234567...14

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PHP45N03LTA 替代型号

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