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PESD5V0V1BB

更新时间： 2024-10-03 11:13:07

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安世 - NEXPERIA		局域网光电二极管
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12页	245K
描述
Very low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction

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PESD5V0V1BB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	7.8 V	最小击穿电压：	5.8 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	45 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

PESD5V0V1BB 数据手册

PESD5V0V1BB

Very low capacitance bidirectional ESD protection diode

11 April 2023

Product data sheet

1. General description

Very low capacitance bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in an ultra-small

and flat lead SOD523 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect one

signal line from the damage caused by ESD and other transients.

2. Features and benefits

•

Bidirectional ESD protection of one line

•

Very low diode capacitance: C_d= 11 pF

Max. peak pulse power: P_PPM= 45 W

Low clamping voltage: V_CL= 12.5 V

Ultra low leakage current: I_RM< 1 nA

ESD protection up to 30 kV

IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

IEC 61000-4-5 (surge); I_PPM= 4.8 A

3. Applications

•

Computers and peripherals

Audio and video equipment

Cellular handsets and accessories

SIM card protection

Communication systems

Portable electronics

10/100 Mbit/s Ethernet

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RWM

reverse standoff

voltage

T_amb= 25 °C

C_d

diode capacitance

f = 1 MHz; V_R= 0 V; T_amb= 25 °C

12 3 4 5 6 7...12

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