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PESD5V0U4BF

更新时间： 2024-10-03 11:12:23

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安世 - NEXPERIA		局域网二极管
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描述
Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrayProduction

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PESD5V0U4BF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PBCC-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	9.5 V	最小击穿电压：	5.5 V
配置：	COMPLEX	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	MO-252
JESD-30 代码：	R-PBCC-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	BIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

PESD5V0U4BF 数据手册

PESD5V0U4BF

Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection

array

28 December 2022

Product data sheet

1. General description

Ultra low capacitance bidirectional quadruple ElectroStatic Discharge (ESD) protection array in a

leadless ultra small XSON6 (SOT886) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package, designed

to protect up to four signal lines from the damage caused by ESD and other transients.

2. Features and benefits

•

Bidirectional ESD protection of up to four lines

•

ESD protection up to 10 kV

Ultra low diode capacitance: C_d= 2.9 pF

IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

Ultra low leakage current: I_RM= 5 nA

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Computers and peripherals

Portable electronics

Audio and video equipment

Cellular handsets and accessories

Communication systems

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RWM

reverse standoff

voltage

T_amb= 25 °C

C_d

diode capacitance

f = 1 MHz; V_R= 0 V; T_amb= 25 °C

2.9

3.5

12 3 4 5 6 7...11

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