是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PBCC-N6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.65 | Is Samacsys: | N |
最大击穿电压: | 9.5 V | 最小击穿电压: | 5.5 V |
配置: | COMPLEX | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | MO-252 |
JESD-30 代码: | R-PBCC-N6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 4 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大重复峰值反向电压: | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PESD5V0U4BF,115 | NXP |
获取价格 |
PESD5V0U4BF; PESD5V0U4BW - Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection ar | |
PESD5V0U4BW | NXP |
获取价格 |
Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays | |
PESD5V0U4BW | NEXPERIA |
获取价格 |
Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrayProduction | |
PESD5V0U4BW,115 | ETC |
获取价格 |
TVS DIODE 5V SOT665 | |
PESD5V0U5BF | NXP |
获取价格 |
Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrays | |
PESD5V0U5BF | NEXPERIA |
获取价格 |
Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrayProduction | |
PESD5V0U5BF,115 | NXP |
获取价格 |
PESD5V0U5BF; PESD5V0U5BV - Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arr | |
PESD5V0U5BV | NXP |
获取价格 |
Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrays | |
PESD5V0U5BV | NEXPERIA |
获取价格 |
Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrayProduction | |
PESD5V0U5BV,115 | NXP |
获取价格 |
PESD5V0U5BF; PESD5V0U5BV - Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arr |