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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 最大击穿电压： | 7.8 V | 最小击穿电压： | 5.8 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 45 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PESD5V0V1BA,115 | NXP |
获取价格 |
PESD5V0V1BA; PESD5V0V1BB; PESD5V0V1BL - Very low capacitance bidirectional ESD protection |
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| PESD5V0V1BA-Q | NEXPERIA |
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Very low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction |
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| PESD5V0V1BB | NXP |
获取价格 |
Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes |
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| PESD5V0V1BB | NEXPERIA |
获取价格 |
Very low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction |
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| PESD5V0V1BB | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:5v;极性/通道数（Channel）:1-Line，Bidire |
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| PESD5V0V1BB-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
Very low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction |
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| PESD5V0V1BCSF | NEXPERIA |
获取价格 |
Ultra low profile bidirectional very low capacitance ESD protection diodeProduction |
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| PESD5V0V1BDSF | NEXPERIA |
获取价格 |
Very low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction |
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| PESD5V0V1BL | NXP |
获取价格 |
Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes |
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| PESD5V0V1BL | NEXPERIA |
获取价格 |
Very low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction |
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