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PESD3V3U1UA,115

更新时间： 2024-09-20 15:47:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	81K
描述
PESD3V3U1UA; PESD3V3U1UB; PESD3V3U1UL - Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes SOD 2-Pin

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PESD3V3U1UA,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOD	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.76	最大击穿电压：	6.8 V
最小击穿电压：	4.5 V	击穿电压标称值：	5.6 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	3.3 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

PESD3V3U1UA,115 数据手册

PESD3V3U1UA;

PESD3V3U1UB; PESD3V3U1UL

Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes

Rev. 01 — 30 October 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Ultra low capacitance unidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in

small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages designed to protect one signal

line from the damage caused by ESD and other transients.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

Package conﬁguration

JEITA

SC-76

SC-79

PESD3V3U1UA

PESD3V3U1UB

PESD3V3U1UL

SOD323

SOD523

SOD882

very small

ultra small and ﬂat lead

leadless ultra small

1.2 Features

I Unidirectional ESD protection of one line I ESD protection up to 9 kV

I Ultra low diode capacitance: C_d= 2.6 pF I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

I Very low leakage current: I_RM= 1 nA

I AEC-Q101 qualiﬁed

1.3 Applications

I USB interfaces

I Cellular handsets and accessories

I Portable electronics

I 10/100/1000 Mbit/s Ethernet

I FireWire

I Communication systems

I Computers and peripherals

I High-speed data lines

I Subscriber Identity Module (SIM) card I Audio and video equipment

protection

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Parameter Conditions

Min

Typ

Max

3.3

Unit

V_RWM

C_d

reverse standoff voltage

diode capacitance

f = 1 MHz; V_R= 0 V

2.6

3.1

12 3 4 5 6 7...12

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PESD3V3U1UA,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ESDA8V2-1J	STMICROELECTRONICS	功能相似	充电器和电池端口的EOS和ESD Transil?保护

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PESD3V3U1UB	NXP	获取价格	Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
PESD3V3U1UB	NEXPERIA	获取价格	Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodesProduction
PESD3V3U1UB	UMW	获取价格	反向截止电压（Vrwm）:3.3V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unid
PESD3V3U1UB,115	NXP	获取价格	PESD3V3U1UA; PESD3V3U1UB; PESD3V3U1UL - Ultra low capacitance unidirectional ESD protectio
PESD3V3U1UL	NXP	获取价格	Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
PESD3V3U1UL	NEXPERIA	获取价格	Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodesProduction
PESD3V3U1UL,315	NXP	获取价格	PESD3V3U1UA; PESD3V3U1UB; PESD3V3U1UL - Ultra low capacitance unidirectional ESD protectio
PESD3V3U1UL-Q	NEXPERIA	获取价格	Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction
PESD3V3U1UT	NXP	获取价格	Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
PESD3V3U1UT	PHILIPS	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 3.3V V(RWM), Bidirectional,

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