5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC115TT | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
|
| PDTC115TT | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = openProduction |
|
| PDTC115TU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
|
| PDTC115TU | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = openProduction |
|
| PDTC115TU,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC115T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = open SC-70 3-Pin |
|
| PDTC123 | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor |
|
| PDTC123E | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm |
|
| PDTC123EE | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm |
|
| PDTC123EE,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm SC-75 3- |
|
| PDTC123EEF | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
