PDTB114ETT/R

更新时间： 2024-11-25 12:59:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	52K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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PDTB114ETT/R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	9 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	56	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

ook, halfpage

M3D088

PDTB114ET

PNP resistor-equipped transistor

1997 Sep 02

Objective speciﬁcation

Supersedes data of February 1995

File under Discrete Semiconductors, SC04

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTB114ET-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
PDTB114ET-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
PDTB114EU	NXP	获取价格	500mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN
PDTB114EU	NEXPERIA	获取价格	500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors
PDTB114EU-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistorProduction
PDTB123E	NXP	获取价格	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor
PDTB123EK	NXP	获取价格	Low VCEsat (BISS) transistors
PDTB123EK,115	NXP	获取价格	PDTB123EK
PDTB123EQA	NEXPERIA	获取价格	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors
PDTB123ES	NXP	获取价格	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor