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PDTB123ET,235

更新时间： 2024-11-25 15:47:43

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	249K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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PDTB123ET,235 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PDTB123ET,235 数据手册

PDTB123ET

PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;

R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

Rev. 3 — 22 September 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

500 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PDTD123ET.

1.2 Features and benefits

500 mA output current capability

Built-in bias resistors

Reduces pick and place costs

±10 % resistor ratio tolerance

AEC-Q101 qualified

Simplifies circuit design

Reduces component count

1.3 Applications

Digital application in automotive and

industrial segments

Cost-saving alternative for BC807 series

in digital applications

Control of IC inputs

Switching loads

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

I_O

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−50

Unit

collector-emitter voltage

output current

open base

−500

2.86

1.1

kΩ

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

1.54

0.9

2.2

1.0

R2/R1

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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