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PDTB123ET

更新时间: 2024-11-25 04:10:51
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
12页 956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

PDTB123ET 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.23Is Samacsys:N
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PDTB123ET 数据手册

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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PDTB123EU NEXPERIA

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500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors
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PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = openProduction