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PDTB114EU

更新时间： 2024-11-26 02:56:59

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
27页	3645K
描述
500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

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PDTB114EU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.52
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

PDTB114EU 数据手册

PDTB1xxxU series

500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

Rev. 1 — 6 May 2014

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a very small SOT323 (SC-70)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NPN

Package

complement

configuration

Nexperia JEITA

JEDEC

PDTB113EU

PDTB113ZU

PDTB123EU

PDTB123YU

PDTB143EU

PDTB143XU

PDTB114EU

SOT323

SC-70

PDTD113EU

PDTD113ZU

PDTD123EU

PDTD123YU

PDTD143EU

PDTD143XU

PDTD114EU

very small

1.2 Features

 500 mA output current capability

 Built-in bias resistors

  10 % resistor ratio tolerance

 AEC-Q101 qualified

 Simplifies circuit design

 Reduces component count

 High temperature applications

up to 175 °C

1.3 Applications

 IC inputs control

 Switching loads

 Cost-saving alternative to BC807 or

BC817 series transistors in digital

applications

12 3 4 5 6 7...27

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与PDTB114EU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTB114EU-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistorProduction
PDTB123E	NXP	获取价格	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor
PDTB123EK	NXP	获取价格	Low VCEsat (BISS) transistors
PDTB123EK,115	NXP	获取价格	PDTB123EK
PDTB123EQA	NEXPERIA	获取价格	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors
PDTB123ES	NXP	获取价格	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor
PDTB123ES,126	NXP	获取价格	PDTB123ES
PDTB123ET	NXP	获取价格	Low VCEsat (BISS) transistors
PDTB123ET	NEXPERIA	获取价格	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction
PDTB123ET,215	NXP	获取价格	PDTB123ET - PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm TO