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PDTB123TT,215

更新时间： 2024-11-25 15:47:43

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	108K
描述
PDTB123TT - PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open TO-236 3-Pin

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PDTB123TT,215 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	PLASTIC, SMD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PDTB123TT,215 数据手册

PDTB123T series

PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;

R1 = 2.2 kΩ, R2 = open

Rev. 03 — 16 November 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.

Table 1. Product overview

Type number

Package

NXP

NPN complement

JEITA

SC-59A

SC-43A

JEDEC

TO-236

TO-92

PDTB123TK

PDTB123TS^[1]

PDTB123TT

SOT346

SOT54

SOT23

PDTD123TK

PDTD123TS

PDTD123TT

TO-236AB

[1] Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see Section 2).

1.2 Features

Built-in bias resistors

Reduces component count

Simplifies circuit design

500 mA output current capability

Reduces pick and place costs

1.3 Applications

Digital application in automotive and

Cost-saving alternative for BC807 series

industrial segments

in digital applications

Controlling IC inputs

Switching loads

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

V_CEO

I_O

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−50

Unit

collector-emitter voltage

output current (DC)

bias resistor 1 (input)

open base

−500

2.86

kΩ

1.54

2.2

12 3 4 5 6 7...10

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PDTB123TT,215 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PDTB123ET,215	NXP	类似代替	PDTB123ET - PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm TO
PDTB123YT,215	NXP	类似代替	PDTB123YT - PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm TO-
DTA114TKAT146	ROHM	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-59,

与PDTB123TT,215相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTB123Y	NXP	获取价格	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YK	NXP	获取价格	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YQA	NXP	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
PDTB123YQA	NEXPERIA	获取价格	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistorsProduction
PDTB123YS	NXP	获取价格	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YT	NXP	获取价格	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YT	NEXPERIA	获取价格	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor
PDTB123YT,215	NXP	获取价格	PDTB123YT - PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm TO-
PDTB123YT,235	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
PDTB123YT-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor

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