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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTB123ES,126 | NXP |
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PDTB123ES |
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| PDTB123ET | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PDTB123ET | NEXPERIA |
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PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction |
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| PDTB123ET,215 | NXP |
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PDTB123ET - PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm TO |
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| PDTB123ET,235 | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
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| PDTB123EU | NEXPERIA |
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500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors |
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| PDTB123T | NXP |
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PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor |
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| PDTB123TK | NXP |
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PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor |
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| PDTB123TK,115 | NXP |
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PDTB123TK |
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| PDTB123TS | NXP |
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PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor |
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