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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PDTB123EK | NXP |
完全替代  |
Low VCEsat (BISS) transistors |
|
| PDTB123YK | NXP |
完全替代 |
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTB123TK,115 | NXP |
获取价格 |
PDTB123TK |
|
| PDTB123TS | NXP |
获取价格 |
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor |
|
| PDTB123TS,126 | NXP |
获取价格 |
PDTB123TS |
|
| PDTB123TT | NXP |
获取价格 |
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor |
|
| PDTB123TT | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = openProduction |
|
| PDTB123TT,215 | NXP |
获取价格 |
PDTB123TT - PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open TO-236 |
|
| PDTB123Y | NXP |
获取价格 |
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
|
| PDTB123YK | NXP |
获取价格 |
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
|
| PDTB123YQA | NXP |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| PDTB123YQA | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistorsProduction |
|
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