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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.5 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTB114ET-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PDTB114EU | NXP |
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500mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
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| PDTB114EU | NEXPERIA |
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500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors |
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| PDTB114EU-Q | NEXPERIA |
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50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistorProduction |
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| PDTB123E | NXP |
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PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor |
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| PDTB123EK | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PDTB123EK,115 | NXP |
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PDTB123EK |
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| PDTB123EQA | NEXPERIA |
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50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors |
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| PDTB123ES | NXP |
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PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor |
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| PDTB123ES,126 | NXP |
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PDTB123ES |
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