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PBSS4140DPN

更新时间: 2024-02-17 03:24:13
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 78K
描述
40 V low VCEsat NPN/PNP transistor

PBSS4140DPN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.67最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-F6
元件数量:1端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

PBSS4140DPN 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PBSS4140DPN  
40 V low VCEsat NPN/PNP  
transistor  
Product specification  
2001 Dec 13  

PBSS4140DPN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PBSS4140DPN,115 NXP

完全替代

PBSS4140DPN - 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor TSOP 6-Pin

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBSS4140DPN,115 NXP

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40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduction
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