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NVMYS005N10MCLT1G

更新时间： 2024-11-11 19:51:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 223K
描述
Power Field-Effect Transistor

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NVMYS005N10MCLT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：109 A
最大漏极电流 (ID)：109 A最大漏源导通电阻：0.005 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：21 pF
JESD-30 代码：R-PSSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：131 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：674 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVMYS005N10MCLT1G 数据手册

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MOSFET – Power, Single  
N-Channel  
100 V, 5 mW, 109 A  
Product Preview  
NVMYS005N10MCL  
www.onsemi.com  
Features  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS(on)  
(BR)DSS  
DS(ON)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
5 mW @ 10 V  
100 V  
109 A  
• NVMYS005N10MCL − Wettable Flank Option for Enhanced Optical  
TBD mW @ 4.5 V  
Inspection  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
D (5)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
100  
20  
Unit  
V
G (4)  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
109  
77  
A
C
D
q
JC  
T
C
Steady  
State  
(Notes 1, 3)  
MARKING  
DIAGRAM  
Power Dissipation  
T
C
P
131  
W
A
D
R
(Note 1)  
q
JC  
D
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
16.5  
q
JA  
Steady  
State  
(Notes 1, 2, 3)  
0050N10  
MCL  
AWLYW  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3
W
D
LFPAK4  
CASE 760AB  
R
(Notes 1, 2)  
q
JA  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
674  
A
A
p
1
S
S
S
G
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
005N10MCL = Specific Device Code  
A
WL  
Y
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
TBD  
mJ  
Energy (I  
= 6 A)  
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
W
= Work Week  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information on  
page 3 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
1.2  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
JC  
R
50  
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
This document contains information on a product under development. ON Semiconductor  
reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2020  
1
Publication Order Number:  
January, 2020 − Rev. P0  
NVMYS005N10MCL/D  
 
1234

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与NVMYS005N10MCLT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVMYS005N10MCLTWG ONSEMI

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