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NVMYS1D3N04CTWG

更新时间： 2024-11-22 11:16:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 342K
描述
功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，1.15Ω，252 A

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NVMYS1D3N04CTWG 数据手册

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NVMYS1D3N04C  
MOSFET – Power, Single  
N-Channel  
40 V, 1.15 mW, 252 A  
Features  
www.onsemi.com  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
• LFPAK4 Package, Industry Standard  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
40 V  
1.15 mW @ 10 V  
252 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
D (5,8)  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
G (4)  
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
252  
178  
134  
67  
A
C
D
q
JC  
T
C
(Notes 1, 3)  
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
Power Dissipation  
T
C
P
W
A
D
R
(Note 1)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
I
D
43  
q
JA  
MARKING  
DIAGRAM  
T = 100°C  
A
30  
(Notes 1, 2, 3)  
Power Dissipation  
T = 25°C  
P
3.9  
1.9  
900  
W
A
D
D
R
(Notes 1, 2)  
q
JA  
T = 100°C  
A
1D3N04  
C
AWLYW  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
LFPAK4  
CASE 760AB  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
+ 175  
°C  
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
112  
A
1
S
S
S
S G  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
1621  
mJ  
1D3N04C  
A
WL  
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
Energy (I  
= 21 A)  
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
= Year  
W
= Work Week  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Parameter  
Symbol  
Value  
1.12  
39  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
JC  
R
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2018  
1
Publication Order Number:  
July, 2019 − Rev. 1  
NVMYS1D3N04C/D  
 
1234567

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与NVMYS1D3N04CTWG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVMYS1D6N04CLT1G ONSEMI

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