是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
Factory Lead Time: | 4 weeks | 风险等级: | 5.75 |
Samacsys Description: | MOSFET N-CH 60V 250A SO8FL | 雪崩能效等级(Eas): | 338 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 250 A |
最大漏极电流 (ID): | 250 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0017 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 900 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NVMFS5H600NLWFT1G | ONSEMI |
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单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,250A,1.3mΩ | |
NVMFS5H610NLT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET 60 V, 10 mΩ, 48 A, Single N−Chan | |
NVMFS5H610NLWFT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET 60 V, 10 mΩ, 48 A, Single N−Chan | |
NVMFS5H615NLT1G | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor | |
NVMFS5H663NLT1G | ONSEMI |
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单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,67A,7.2mΩ | |
NVMFS5H663NLWFT1G | ONSEMI |
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单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,67A,7.2mΩ | |
NVMFS6B03N | ONSEMI |
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Single N-Channel Power MOSFET | |
NVMFS6B03N_16 | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NVMFS6B03NL | ONSEMI |
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Single NâChannel Power MOSFET | |
NVMFS6B03NL_16 | ONSEMI |
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Power MOSFET |