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NVMFS5H610NLT1G PDF预览

NVMFS5H610NLT1G

更新时间： 2024-09-10 11:12:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 206K
描述
Power MOSFET 60 V, 10 mΩ, 48 A, Single N−Channel

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NVMFS5H610NLT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：175 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A
最大漏极电流 (ID)：48 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：52 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：243 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NVMFS5H610NLT1G 数据手册

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NVMFS5H610NL,  
NVMFS5H610NLWF  
Power MOSFET  
60 V, 10 mW, 48 A, Single N−Channel  
NVMFS5H610NLWF − Wettable Flank  
www.onsemi.com  
Option for Enhanced Optical Inspection  
Features  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
10 mW @ 10 V  
13 mW @ 4.5 V  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
60 V  
48 A  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
D (5)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
G (4)  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
48  
A
C
D
q
JC  
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
T
C
34  
(Notes 1, 3)  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T
C
P
52  
W
A
D
R
(Note 1)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
26  
MARKING  
DIAGRAM  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
13  
q
JA  
T = 100°C  
A
9
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
D
1
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.6  
1.8  
243  
W
D
S
S
S
G
D
D
R
(Notes 1, 2)  
q
JA  
DFN5  
(SO−8FL)  
CASE 488AA  
STYLE 1  
XXXXXX  
AYWZZ  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
D
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
XXXXXX = 5H610L (NVMFS5H610NL) or  
= 610LWF (NVMFS5H610NLWF)  
Source Current (Body Diode)  
I
43  
A
S
A
Y
W
ZZ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
175  
mJ  
Energy (I  
= 2.8 A)  
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
2.9  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
JC  
R
42  
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2018  
1
Publication Order Number:  
October, 2018 − Rev. 0  
NVMFS5H610NL/D  
 
1234567

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与NVMFS5H610NLT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVMFS5H610NLWFT1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 60 V, 10 mΩ, 48 A, Single N−Chan
NVMFS5H615NLT1G ONSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
NVMFS5H663NLT1G ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，功率 MOSFET，60V，67A，7.2mΩ
NVMFS5H663NLWFT1G ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，功率 MOSFET，60V，67A，7.2mΩ
NVMFS6B03N ONSEMI

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 		Single N-Channel Power MOSFET
NVMFS6B03N_16 ONSEMI

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 		Power MOSFET
NVMFS6B03NL ONSEMI

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NVMFS6B03NL_16 ONSEMI

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