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NVMFS4C01NT1G

更新时间： 2024-11-17 01:04:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 84K
描述
Power MOSFET

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NVMFS4C01NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：DFN5, SOP-8
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.63Samacsys Description：MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
雪崩能效等级（Eas）：862 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：319 A最大漏源导通电阻：0.00095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.84 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：900 A参考标准：AEC-Q101
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NVMFS4C01NT1G 数据手册

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NVMFS4C01N  
Power MOSFET  
30 V, 0.67 mW, 370 A, Single N−Channel,  
Logic Level, SO−8FL  
Features  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
www.onsemi.com  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• NVMFS4C01NWF − Wettable Flanks Option for Enhanced Optical  
0.67 mW @ 10 V  
0.95 mW @ 4.5 V  
Inspection  
30 V  
370 A  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
D (5)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
G (4)  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain Cur-  
V
"20  
370  
V
GS  
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
T
T
= 25°C  
= 25°C  
I
A
C
D
rent R  
(Notes 1, 3)  
q
JC  
Steady  
State  
Power Dissipation  
(Notes 1, 3)  
P
161  
57  
W
A
C
D
MARKING  
DIAGRAM  
R
q
JC  
Continuous Drain Cur-  
T = 25°C  
A
I
D
D
rent R  
3)  
(Notes 1, 2,  
q
JA  
Steady  
State  
S
S
S
G
D
D
1
4C01xx  
AYWZZ  
Power Dissipation  
(Notes 1, 2, 3)  
T = 25°C  
A
P
3.84  
900  
W
D
SO−8 FLAT LEAD  
CASE 488AA  
STYLE 1  
R
q
JA  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
D
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
4C01N = Specific Device Code for  
NVMFS4C01N  
4C01WF= Specific Device Code of  
NVMFS4C01NWF  
Source Current (Body Diode)  
I
110  
862  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
A
= Assembly Location  
= Year  
Energy (I  
= 35 A)  
L(pk)  
Y
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceabililty  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
NVMFS4C01NT1G  
SO−8 FL  
(Pb−Free) Tape & Reel  
1500 /  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
R
0.93  
39  
°C/W  
q
q
JC  
NVMFS4C01NT3G  
SO−8 FL 5000 /  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
JA  
(Pb−Free) Tape & Reel  
SO−8 FL 1500 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
SO−8 FL 5000 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
NVMFS4C01NWFT1G  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
NVMFS4C01NWFT3G  
on pulse duration and duty cycle.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
April, 2016 − Rev. 2  
NVMFS4C01N/D  
 
123456

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