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NTVS3141PT2G

更新时间： 2024-10-02 21:10:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 123K
描述
2900mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 1.50 X 1 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE,CASE 499BC, FLIP CHIP-6

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NTVS3141PT2G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：FLIP-CHIP包装说明：GRID ARRAY, R-PBGA-B6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A最大漏极电流 (ID)：2.9 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PBGA-B6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTVS3141PT2G 数据手册

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NTVS3141P  
Power MOSFET  
−20 V, −3.7 A, 85 mW, Single P−Channel,  
CSP 1.0x1.5x0.65 mm  
Features  
• Low R  
at Low Gate Voltage  
http://onsemi.com  
DS(on)  
• Chip Scale Packaging  
2
V
R
MAX  
I MAX  
D
(Note 1)  
• High Power Density (A/mm )  
• This is a Pb−Free Device  
(BR)DSS  
DS(ON)  
85 mΩ @ −4.5 V  
123 mΩ @ −2.5 V  
150 mΩ @ −1.8 V  
200 mΩ @ −1.5 V  
Applications  
• Load Switch in Cell Phone, DSC, PMP, GPS, PC’s  
• Battery Charging Switch  
−20 V  
−3.7 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−20  
Unit  
V
S
V
DSS  
V
GS  
"8  
V
G
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
I
D
−3.7  
A
T = 25°C  
A
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady  
State  
I
D
−2.9  
A
T = 25°C  
A
D
Power Dissipation Steady  
(Note 1) State  
P
P
1.5  
0.9  
W
W
D
T = 25°C  
A
P−Channel MOSFET  
Power Dissipation Steady  
D
T = 25°C  
A
(Note 2)  
State  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
−15  
A
DM  
A1  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
STG  
6 PIN FLIP−CHIP  
1.0 x 1.5  
Source Current (Body Diode)  
I
S
−1.1  
A
CASE 499BC  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(IR/Convection)  
T
250  
°C  
L
PIN CONNECTION AND MARKING  
DIAGRAM  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
Junction−to−Ambient – Steady State  
(Note 1)  
R
83  
°C/W  
θ
JA  
Junction−to−Ambient – Steady State  
(Note 2)  
R
133  
°C/W  
θ
JA  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 inch sq pad size  
3141 = Specific Device Code  
WW = Work Week  
(Cu area = 1 in sq [2 oz] including traces)  
2. Surface−mounted on FR4 board using 77.3 sq mm min pad, 2 oz Cu.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NTVS3141PT2G  
Package  
Shipping  
3000/Tape & Reel  
CSP−6  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
March, 2009 − Rev. 0  
NTVS3141P/D  
 
123456

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与NTVS3141PT2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTVS4101PT1 ONSEMI

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 		TRANSISTOR 3.9 A, 20 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 766AC, FLIP CHIP-4,
N-TW10 MACOM

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 		tyco electronics contents
NTX0 RADIOMETRIX

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 		27MHz HF Narrow Band FM TX & RX
NTX2 RADIOMETRIX

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 		UHF Narrow Band FM TX & RX
NTX2-434.650-10 RADIOMETRIX

获取价格

 		UHF Narrow Band FM TX & RX
NTY100N10 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 123 A, 100 V N-Channel Enhancement-Mode TO264 Package
NTY100N10_06 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 123 A, 100 V N−Channel Enhancement−Mode TO264 Package
NTY100N10G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 123 A, 100 V N−Channel Enhancement−Mode TO264 Package
NTY100N10TBD ONSEMI

获取价格

 		123A, 100V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA, CASE 340G-02 STYLE 1, TO-3BPL
NTZD3151P ONSEMI

获取价格

 		High Efficiency DC-DC Converters

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