5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CASE 369AA-01, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.14 | 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 32 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTD60N02RT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
|
| NTD60N02RT4G | ROCHESTER |
获取价格 |
32A, 25V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 |
|
| NTD60N03 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts |
|
| NTD60N03-1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts |
|
| NTD60N03T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts |
|
| NTD6414AN | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ |
|
| NTD6414AN-1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ |
|
| NTD6414ANT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ |
|
| NTD6415AN | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ |
|
| NTD6415AN-1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
