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NSD8306-Q1HTSXR

更新时间： 2024-04-09 18:58:34

品牌	Logo	应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE		电机驱动继电器
页数	文件大小	规格书
48页	2826K
描述
NSD8306 – Q1是一款多通道半桥驱动芯片，内部集成6通道半桥，通过灵活配置，芯片可以支持多种不同的负载类型包括直流有刷电机，步进电机，继电器和LED等。该芯片内置PWM生成器，仅通过SPI

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NSD8306-Q1HTSXR 数据手册

Datasheet (EN) 1.3

NSD8306-Q1/NSD8306A-Q1

5. Thermal Information

SYMBOL

DESCRIPTION

Ambient operating ambient temperature

Junction temperature0

MIN

-40

-65

TYP

MAX

125

150

UNIT

°C

Tstg

Rthjc

Storage temperature

°C

Thermal resistance, junction to case

2.7

°C/W

Thermal resistance, junction to ambient, on 2-layer

PCB

°C/W

Rthja

Thermal resistance, junction to ambient, on 4-layer

PCB based on JEDEC standard

6. Electrical characteristics

T_j= -40°C to 150°C, VM=4.5V to 18V, VDD=3.0 to 5V, unless otherwise specified.

SYMBOL

PARAMETER

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

POWER SUPPLY (VM)

VM = 13.5V, EN=HIGH, all output off

VM = 13.5V, EN=HIGH, all high side on

0.5

VM operating supply

current

I_VM

VM = 13.5V, -40≤Tj≤85°C, EN=LOW, total

current of all VM pin

I_{VM_SLEEP}

VM sleep current

µA

VM falls until UVLO triggers

3.6

3.9

4.3

4.6

VM undervoltage

threshold

V_UV

VM rises until operation recovers

V_{UV_HYS}

VM undervoltage

hysteresis

400

t_UV

VM undervoltage

deglitch time

Guaranteed by digital scan

VM increasing, switch off, OVP_H = 0

VM decreasing, switch on, OVP_H = 0

VM increasing, switch off, OVP_H = 1

VM decreasing, switch on, OVP_H = 1

V_OV

VM overvoltage

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