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NSDEMP11XV6T1 PDF预览

NSDEMP11XV6T1

更新时间： 2024-01-22 23:26:29
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Common Anode Quad Array Switching Diode

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NSDEMP11XV6T1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N配置：2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：4
端子数量：6最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.5 W认证状态：COMMERCIAL
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

NSDEMP11XV6T1 数据手册

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NSDEMP11XV6T1,  
NSDEMP11XV6T5  
Common Anode Quad  
Array Switching Diode  
These Common Anode Epitaxial Planar QUAD Diodes are  
designed for use in ultra high speed switching applications. The  
NSDEMP11XV6T1 device is housed in the SOT-563 package which  
is designed for low power surface mount applications, where board  
space is at a premium.  
http://onsemi.com  
(2)  
(3)  
(1)  
• Fast t  
rr  
• Low C  
D
• Available in 8 mm; 7 inch Tape and Reel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
Vdc  
(4)  
(5)  
(6)  
V
R
Peak Reverse Voltage  
Forward Current  
V
80  
Vdc  
RM  
MARKING  
DIAGRAM  
I
100  
300  
2.0  
mAdc  
mAdc  
Adc  
4
F
5
6
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
I
FM  
3
2
1
I
FSM  
(Note 1)  
SOT-563  
CASE 463A  
PLASTIC  
P9 D  
1. t = 1 mS  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
P9 = Specific Device Code  
= Date Code  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
P
D
357  
(Note 2)  
2.9  
mW  
D
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
(Note 2)  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient  
R
350  
(Note 2)  
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
NSDEMP11XV6T1  
SOT-563  
4 mm pitch  
4000/Tape & Reel  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
P
500  
(Note 2)  
4.0  
mW  
A
D
NSDEMP11XV6T5  
SOT-563  
2 mm pitch  
8000/Tape & Reel  
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C  
(Note 2)  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient  
Junction and Storage Temperature  
2. FR-4 @ Minimum Pad  
R
250  
(Note 2)  
q
JA  
T , T  
J
- 55 to  
+150  
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C)  
A
Characteristic  
Reverse Voltage Leakage Current  
Forward Voltage  
Symbol  
Condition  
= 70 V  
Min  
Max  
0.1  
1.2  
—
Unit  
mAdc  
Vdc  
Vdc  
pF  
I
R
V
R
-
-
V
I = 100 mA  
F
F
R
D
Reverse Breakdown Voltage  
Diode Capacitance  
V
C
I
R
= 100 mA  
-0  
-
V
= 6.0 V, f = 1.0 MHz  
3.5  
4.0  
R
Reverse Recovery Time  
t (Note 2)  
rr  
I = 5.0 mA, V = 6.0 V, R = 100 W, I = 0.1 I  
R
-
ns  
F
R
L
rr  
3. t Test Circuit for NSDEMP11XV6T1 in Figure 4.  
rr  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
February, 2003 - Rev. 1  
NSDEMP11XV6T1/D  
1234

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