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NSDEMP11XV6T5

更新时间： 2024-01-21 22:05:07

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安森美 - ONSEMI		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	53K
描述
Common Anode Quad Array Switching Diode

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NSDEMP11XV6T5 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.41	配置：	2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	4	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
反向测试电压：	70 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

NSDEMP11XV6T5 数据手册

NSDEMP11XV6T1,

NSDEMP11XV6T5

Common Anode Quad

Array Switching Diode

These Common Anode Epitaxial Planar QUAD Diodes are

designed for use in ultra high speed switching applications. The

NSDEMP11XV6T1 device is housed in the SOT-563 package which

is designed for low power surface mount applications, where board

space is at a premium.

http://onsemi.com

(2)

(3)

(1)

• Fast t

• Low C

• Available in 8 mm; 7 inch Tape and Reel

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)

Rating

Reverse Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

(4)

(5)

(6)

Peak Reverse Voltage

Forward Current

Vdc

MARKING

DIAGRAM

100

300

2.0

mAdc

Adc

Peak Forward Current

Peak Forward Surge Current

FSM

(Note 1)

SOT-563

CASE 463A

PLASTIC

P9 D

1. t = 1 mS

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

(One Junction Heated)

Symbol

Max

Unit

P9 = Specific Device Code

= Date Code

Total Device Dissipation

T = 25°C

357

(Note 2)

2.9

Derate above 25°C

mW/°C

°C/W

(Note 2)

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

350

(Note 2)

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

Characteristic

(Both Junctions Heated)

Symbol

Max

Unit

NSDEMP11XV6T1

SOT-563

4 mm pitch

4000/Tape & Reel

Total Device Dissipation

T = 25°C

500

(Note 2)

4.0

NSDEMP11XV6T5

SOT-563

2 mm pitch

8000/Tape & Reel

Derate above 25°C

mW/°C

°C/W

°C

(Note 2)

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

Junction and Storage Temperature

2. FR-4 @ Minimum Pad

250

(Note 2)

T , T

- 55 to

+150

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C)

Characteristic

Reverse Voltage Leakage Current

Forward Voltage

Symbol

Condition

= 70 V

Min

Max

0.1

1.2

—

Unit

mAdc

Vdc

I = 100 mA

Reverse Breakdown Voltage

Diode Capacitance

= 100 mA

-0

= 6.0 V, f = 1.0 MHz

3.5

4.0

Reverse Recovery Time

t (Note 2)

I = 5.0 mA, V = 6.0 V, R = 100 W, I = 0.1 I

3. t Test Circuit for NSDEMP11XV6T1 in Figure 4.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2003

Publication Order Number:

February, 2003 - Rev. 1

NSDEMP11XV6T1/D

12 3 4

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NSDP301MX3T5G	ONSEMI	获取价格	Single PIN Diode for Attenuator and RF Switch
NSDU01	NSC	获取价格	TRANSISTOR 1 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power
NSDU01A	TI	获取价格	NSDU01A
NSDU01A	NSC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,2A I(C),TO-202AA
NSDU02	TI	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,2A I(C),TO-202
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