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NSDU45

更新时间: 2024-09-24 21:13:23
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美国国家半导体 - NSC 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
TRANSISTOR 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power

NSDU45 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.85最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):4000JEDEC-95代码:TO-202
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):10 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

NSDU45 数据手册

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