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NSDEMP11XV6T1G PDF预览

NSDEMP11XV6T1G

更新时间： 2024-01-25 13:14:13
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 52K
描述
Common Anode Quad Array Switching Diode

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NSDEMP11XV6T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N配置：2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：4
端子数量：6最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.5 W认证状态：COMMERCIAL
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

NSDEMP11XV6T1G 数据手册

 浏览型号NSDEMP11XV6T1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NSDEMP11XV6T1G的Datasheet PDF文件第3页 
NSDEMP11XV6T1,  
NSDEMP11XV6T5  
Common Anode Quad  
Array Switching Diode  
These Common Anode Epitaxial Planar QUAD Diodes are  
designed for use in ultra high speed switching applications. The  
NSDEMP11XV6T1 device is housed in the SOT−563 package which  
is designed for low power surface mount applications, where board  
space is at a premium.  
http://onsemi.com  
(2)  
(3)  
(1)  
Features  
• Fast t  
rr  
• Low C  
D
• These are Pb−Free Devices  
(4)  
(5)  
(6)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
V
R
Peak Reverse Voltage  
Forward Current  
V
80  
Vdc  
RM  
1
I
100  
300  
2.0  
mAdc  
mAdc  
Adc  
F
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
I
FM  
SOT−563  
CASE 463A  
PLASTIC  
I
FSM  
(Note 1)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
MARKING DIAGRAM  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
P
357  
(Note 2)  
2.9  
mW  
A
D
P9 M G  
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
G
(Note 2)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
q
350  
(Note 2)  
JA  
Characteristic  
P9 = Device Code  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
P
500  
(Note 2)  
4.0  
mW  
A
D
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C  
(Note 2)  
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
q
250  
(Note 2)  
JA  
†
Device  
Package  
Shipping  
T , T  
J
−55 to  
+150  
stg  
NSDEMP11XV6T1 SOT−563* 4000/Tape & Reel  
SOT−563*  
SOT−563*  
SOT−563*  
NSDEMP11XV6T1G  
NSDEMP11XV6T5  
NSDEMP11XV6T5G  
4000/Tape & Reel  
8000/Tape & Reel  
8000/Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. t = 1 mS  
2. FR−4 @ Minimum Pad  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*This package is inherently Pb−Free.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
May, 2006 − Rev. 3  
NSDEMP11XV6T1/D  
 
123

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