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NSD914XV2T1

更新时间： 2024-01-13 03:21:53

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安森美 - ONSEMI		二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
High−Speed Switching Diode

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NSD914XV2T1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 502-01, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.03	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

NSD914XV2T1 数据手册

NSD914XV2T1

Preferred Device

High−Speed

Switching Diode

Features

• High−Speed Switching Applications

• Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)

• Qualified Maximum Reflow Temperature: 260°C

• Extremely Small SOD−523 Package

• Pb−Free Package is Available

http://onsemi.com

CATHODE

ANODE

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)

MARKING

DIAGRAM

Rating

Symbol

Max

100

200

500

Unit

Reverse Voltage

Forward Current

SOD−523

CASE 502

PLASTIC

5D MG

mAdc

Peak Forward Surge Current

FM(surge)

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

= Specific Device Code

= Date Code

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board (Note 1)

ORDERING INFORMATION

T = 25°C

200

1.57

mW/°C

Derate above 25°C

Device

Package

Shipping†

Thermal Resistance

Junction-to-Ambient

635

150

°C/W

NSD914XV2T1

NSD914XV2T1G

SOD−523 3000/Tape & Reel

(Pb−Free)

Junction and Storage Temperature

1. FR−4 @ Minimum Pad.

T , T

J stg

°C

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Reverse Breakdown Voltage

Symbol Min Max Unit

100

−

Vdc

Preferred devices are recommended choices for future use

(BR)

(I = 100 mAdc)

and best overall value.

Reverse Voltage Leakage Current

(V = 20 Vdc)

(V = 75 Vdc)

−

5.0

nAdc

mAdc

Diode Capacitance

(V = 0 V, f = 1.0 MHz)

−

4.0

1.0

4.0

Vdc

Forward Voltage

(I = 10 mAdc)

Reverse Recovery Time

(I = I = 10 mAdc)

Semiconductor Components Industries, LLC, 2006

Publication Order Number:

December, 2006 − Rev. 3

NSD914XV2T1/D

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NSD914XV2T1/D	ETC	NSD914XV2T1 Data Sheet	获取价格
NSD914XV2T1G	ONSEMI	High−Speed Switching Diode	获取价格
NSD914XV2T5G	ONSEMI	100 V 高速开关二极管	获取价格
NSD92-100	MICROSEMI	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 P	获取价格
NSD92-150	MICROSEMI	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 150V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 P	获取价格
NSD92-200	MICROSEMI	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 P	获取价格

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