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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 502-01, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 1.03 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.5 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSD914XV2T1G | ONSEMI |
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High−Speed Switching Diode |
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| NSD914XV2T5G | ONSEMI |
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100 V 高速开关二极管 |
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| NSD92-100 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 P |
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| NSD92-150 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 150V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 P |
|
| NSD92-200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 P |
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| NSD92-50 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 50V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PI |
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| NSDEMN11DXV6T1 | ONSEMI |
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Common Cathode Quad Array Switching Diode |
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| NSDEMN11DXV6T1/D | ETC |
获取价格 |
Common Cathode Switching Diode |
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| NSDEMN11XV6T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Common Cathode Quad Array Switching Diode |
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| NSDEMN11XV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Common Cathode Quad Array Switching Diode |
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