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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> NSDEMN11XV6T5G
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NSDEMN11XV6T5G

更新时间： 2024-09-18 02:55:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
Common Cathode Quad Array Switching Diode

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NSDEMN11XV6T5G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.72
Is Samacsys：N配置：2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：4端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：80 V
最大反向电流：0.1 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：70 V子类别：Signal Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NSDEMN11XV6T5G 数据手册

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NSDEMN11XV6T1,  
NSDEMN11XV6T5  
Common Cathode Quad  
Array Switching Diode  
This Common Cathode Epitaxial Planar Quad Diode is designed for  
use in ultra high speed switching applications. This device is housed in  
the SOT−563 package which is designed for low power surface mount  
applications, where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
(2)  
(3)  
(1)  
Features  
• Fast t  
rr  
• Low C  
D
• Pb−Free Packages are Available  
(4)  
(5)  
(6)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
Vdc  
V
R
Peak Reverse Voltage  
Forward Current  
V
80  
Vdc  
RM  
1
I
100  
300  
2.0  
mAdc  
mAdc  
Adc  
F
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
I
SOT−563  
CASE 463A  
PLASTIC  
FM  
I
FSM  
(Note 1)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
MARKING DIAGRAM  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation @T = 25°C  
P
357  
(Note 2)  
2.9  
mW  
A
D
N9 M G  
G
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
1
(Note 2)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
350  
(Note 2)  
ꢀ
JA  
N9 = Specific Device Code  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
(Note: Microdot may be in either location)  
Total Device Dissipation @T = 25°C  
P
500  
(Note 2)  
4.0  
mW  
A
D
ORDERING INFORMATION  
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C  
(Note 2)  
†
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
250  
(Note 2)  
ꢀ
JA  
NSDEMN11XV6T1  
SOT−563 4000/Tape & Reel  
NSDEMN11XV6T1G SOT−563 4000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. t = 1 ꢁ S  
NSDEMN11XV6T5  
SOT−563 8000/Tape & Reel  
NSDEMN11XV6T5G SOT−563 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
2. FR−4 @ Minimum Pad  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
May, 2006 − Rev. 2  
NSDEMN11XV6T1/D  
 
1234

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