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NGB8202NT4 PDF预览

NGB8202NT4

更新时间： 2024-11-20 22:29:03
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 115K
描述
20 A, 400 V, N−Channel D2PAK

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NGB8202NT4 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：440 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最大降落时间（tf）：14000 ns
门极发射器阈值电压最大值：2.1 V门极-发射极最大电压：15 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：8000 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：18500 ns
标称接通时间 (ton)：6500 nsBase Number Matches：1

NGB8202NT4 数据手册

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NGB8202N  
Ignition IGBT  
20 A, 400 V, N−Channel D2PAK  
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features  
monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped  
protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses  
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and  
high current switching is required.  
http://onsemi.com  
20 AMPS  
400 VOLTS  
VCE(on) = 1.3 V @  
IC = 10 A, VGE . 4.5 V  
Features  
• Ideal for Coil−on−Plug and Driver−on−Coil Applications  
• Gate−Emitter ESD Protection  
• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits  
Stress Applied to Load  
C
• Integrated ESD Diode Protection  
• Low Threshold Voltage for Interfacing Power Loads to Logic or  
Microprocessor Devices  
R
G
G
• Low Saturation Voltage  
• High Pulsed Current Capability  
R
GE  
• Optional Gate Resistor (R ) and Gate−Emitter Resistor (R  
)
G
GE  
Applications  
• Ignition Systems  
E
MARKING  
DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Gate Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
440  
Unit  
V
NG  
B8202N  
YWW  
V
CES  
V
440  
V
CER  
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 4  
V
"15  
V
GE  
Collector Current−Continuous  
I
20  
50  
A
DC  
A
AC  
C
@ T = 25°C − Pulsed  
C
NGB8202N= Device Code  
Continuous Gate Current  
I
I
1.0  
20  
mA  
mA  
kV  
G
G
Y
= Year  
Transient Gate Current (t≤2 ms, f≤100 Hz)  
ESD (Charged−Device Model)  
WW  
= Work Week  
ESD  
ESD  
2.0  
ORDERING INFORMATION  
ESD (Human Body Model)  
R = 1500 W, C = 100 pF  
kV  
†
8.0  
Device  
NGB8202NT4  
Package  
Shipping  
2
ESD (Machine Model) R = 0 W, C = 200 pF  
ESD  
500  
V
D PAK  
800 / Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
150  
1.0  
Watts  
C
D
Derate above 25°C  
W/°C  
Operating & Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +175  
°C  
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
January, 2005 − Rev. 1  
NGB8202N/D  
12345678

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