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NGB8204NT4G

更新时间： 2024-11-21 03:02:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 150K
描述
Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

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NGB8204NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.82
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：18 A
集电极-发射极最大电压：430 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间（tf）：15000 ns门极发射器阈值电压最大值：1.9 V
门极-发射极最大电压：18 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：115 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：7000 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：13000 ns标称接通时间 (ton)：5200 ns
Base Number Matches：1

NGB8204NT4G 数据手册

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NGB8204N  
Ignition IGBT  
18 Amps, 400 Volts  
N−Channel D2PAK  
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features  
monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped  
protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses  
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and  
high current switching is required.  
http://onsemi.com  
18 AMPS, 400 VOLTS  
VCE(on) 3 2.0 V @  
IC = 10 A, VGE . 4.5 V  
Features  
C
• Ideal for Coil−on−Plug Applications  
• Gate−Emitter ESD Protection  
• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits  
Stress Applied to Load  
G
• Integrated ESD Diode Protection  
R
GE  
• New Design Increases Unclamped Inductive Switching (UIS) Energy  
Per Area  
E
• Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or  
Microprocessor Devices  
• Low Saturation Voltage  
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 4  
• High Pulsed Current Capability  
• Integrated Gate−Emitter Resistor (R  
• Emitter Ballasting for Short−Circuit Capability  
• Pb−Free Package is Available  
)
1
GE  
MARKING DIAGRAM  
4
Collector  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Gate Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
430  
430  
18  
Unit  
GB  
8204NG  
AYWW  
V
CES  
V
CER  
V
V
V
DC  
DC  
DC  
V
1
3
GE  
Gate  
Emitter  
2
Collector Current−Continuous  
I
18  
50  
A
DC  
A
AC  
C
Collector  
@ T = 25°C − Pulsed  
C
GB8204N = Device Code  
ESD (Human Body Model)  
R = 1500 W, C = 100 pF  
ESD  
kV  
A
= Assembly Location  
8.0  
Y
= Year  
ESD (Machine Model) R = 0 W, C = 200 pF  
ESD  
800  
V
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
115  
0.77  
W
W/°C  
C
D
Derate above 25°C  
ORDERING INFORMATION  
Operating and Storage Temperature Range T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
2
NGB8204NT4  
D PAK  
800 / Tape & Reel  
800 / Tape & Reel  
2
NGB8204NT4G  
D PAK  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
August, 2006 − Rev. 3  
NGB8204N/D  
12345678

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NGB8204NT4G 替代型号

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