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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | CASE 418B-04, D2PAK-3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 390 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AUTOMOTIVE IGNITION |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 18500 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 6500 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NGB8206NTF4G | ONSEMI |
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Ignition IGBT |
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| NGB8206NTF4G | ROCHESTER |
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20A, 390V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
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| NGB8207ABN | ONSEMI |
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Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK |
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| NGB8207ABNT4G | ONSEMI |
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Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK |
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| NGB8207AN | ONSEMI |
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Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK |
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| NGB8207AN_11 | ONSEMI |
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Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK |
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| NGB8207ANT4G | ONSEMI |
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Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK |
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| NGB8207BN | ONSEMI |
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Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK |
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| NGB8207BNT4G | ONSEMI |
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Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK |
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| NGB8207N | ONSEMI |
获取价格 |
Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK |
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