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Datasheet > 晶体管 > IGBT> NGB8206NTF4G
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NGB8206NTF4G

更新时间： 2024-11-25 12:01:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管双极性晶体管汽车点火
页数 文件大小 规格书
9页 129K
描述
Ignition IGBT

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NGB8206NTF4G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SFM
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：390 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：18500 ns标称接通时间 (ton)：6500 ns
Base Number Matches：1

NGB8206NTF4G 数据手册

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NGB8206N, NGB8206AN  
Ignition IGBT  
20 A, 350 V, N−Channel D2PAK  
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features  
monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped  
protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses  
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and  
high current switching is required.  
http://onsemi.com  
20 AMPS, 350 VOLTS  
Features  
VCE(on) = 1.3 V @  
• Ideal for Coil−on−Plug and Driver−on−Coil Applications  
• Gate−Emitter ESD Protection  
IC = 10 A, VGE . 4.5 V  
• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits  
C
Stress Applied to Load  
• Integrated ESD Diode Protection  
• Low Threshold Voltage for Interfacing Power Loads to Logic or  
R
G
G
Microprocessor Devices  
• Low Saturation Voltage  
R
GE  
• High Pulsed Current Capability  
• These are Pb−Free Devices  
E
Applications  
MARKING DIAGRAM  
• Ignition Systems  
4 Collector  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Gate Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
390  
Unit  
V
GB  
8206xxG  
AYWW  
V
CES  
1
2
V
CER  
390  
V
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 4  
V
GE  
$15  
20  
50  
V
1
Gate  
3
Emitter  
2
Collector Current−Continuous  
I
C
A
DC  
A
AC  
@ T = 25°C − Pulsed  
Collector  
C
Continuous Gate Current  
I
I
1.0  
20  
mA  
mA  
kV  
G
GB8206xx = Device Code  
xx = N or AN  
Transient Gate Current (t ≤ 2 ms, f ≤ 100 Hz)  
ESD (Charged−Device Model)  
G
A
= Assembly Location  
ESD  
ESD  
2.0  
Y
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ESD (Human Body Model)  
R = 1500 W, C = 100 pF  
kV  
8.0  
ESD (Machine Model) R = 0 W, C = 200 pF  
ESD  
500  
V
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
150  
1.0  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
Operating & Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
February, 2012 − Rev. 9  
NGB8206N/D  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NGB8207ABN ONSEMI

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 		Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK
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