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Datasheet > 晶体管 > IGBT> NGB15N41CLT4
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NGB15N41CLT4

更新时间： 2024-01-19 00:17:25
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 98K
描述
Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts

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NGB15N41CLT4 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.77
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：440 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最大降落时间（tf）：15000 ns
门极发射器阈值电压最大值：2.1 V门极-发射极最大电压：15 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：107 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：7000 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：15500 ns
标称接通时间 (ton)：5700 nsBase Number Matches：1

NGB15N41CLT4 数据手册

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NGD15N41CLT4,  
NGB15N41CLT4,  
NGP15N41CL  
Preferred Device  
Ignition IGBT  
15 Amps, 410 Volts  
N−Channel DPAK, D2PAK and TO−220  
http://onsemi.com  
15 AMPS  
410 VOLTS  
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features  
monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped  
protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses  
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and  
high current switching is required.  
VCE(on) 3 2.1 V @  
IC = 10 A, VGE . 4.5 V  
• Ideal for Coil−on−Plug Applications  
C
• DPAK Package Offers Smaller Footprint and Increased Board Space  
• Gate−Emitter ESD Protection  
• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits  
Stress Applied to Load  
R
G
G
• Integrated ESD Diode Protection  
R
GE  
• New Design Increases Unclamped Inductive Switching (UIS) Energy  
Per Area  
E
• Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or  
Microprocessor Devices  
4
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
• Low Saturation Voltage  
• High Pulsed Current Capability  
2
1
3
• Optional Gate Resistor (R ) and Gate−Emitter Resistor (R  
)
GE  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
2
4
D PAK  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Gate Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
Symbol Value  
Unit  
CASE 418B  
STYLE 4  
1
2
V
CES  
V
CER  
440  
440  
15  
V
DC  
3
V
DC  
V
DC  
V
GE  
4
Collector Current−Continuous  
I
C
15  
50  
A
DC  
A
AC  
@ T = 25°C − Pulsed  
C
ESD (Human Body Model)  
R = 1500 Ω, C = 100 pF  
ESD  
kV  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 9  
8.0  
ESD (Machine Model) R = 0 Ω, C = 200 pF  
ESD  
800  
V
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
107  
Watts  
C
Derate above 25°C  
0.71  
W/°C  
1
2
3
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 8 of this data sheet.  
DEVICE MARKING INFORMATION  
See general marking information in the device marking  
section on page 8 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
March, 2004 − Rev. 5  
NGD15N41CL/D  
1234567...12

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