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NE68133-T1B

更新时间： 2024-11-14 22:30:23

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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20页	219K
描述
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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NE68133-T1B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.065 A	基于收集器的最大容量：	0.9 pF
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz	Base Number Matches：	1

NE68133-T1B 数据手册

NEC's NPN SILICON HIGH

FREQUENCY TRANSISTOR

NE681

SERIES

FEATURES

• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 8 GHz

• LOW NOISE FIGURE:

1.2 dB at 1 GHz

1.6 dB at 2 GHz

• HIGH ASSOCIATED GAIN:

15 dB at 1 GHz

12 dB at 2 GHz

• LOW COST

35 (MICRO-X)

00 (CHIP)

DESCRIPTION

NEC's NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are

designed for low noise, high gain, low cost amplifier applica-

tions. Both the chip and micro-x versions are suitable for

amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also

available in six different low cost plastic surface mount pack-

age styles. NE681's unique device characteristics allow you to

useasinglematchingpointtosimultaneouslyachievebothlow

noise and high gain.

19 (3 PIN ULTRA

SUPER MINI MOLD)

18 (SOT 343 STYLE)

30 (SOT 323 STYLE)

39 (SOT 143 STYLE)

33 (SOT 23 STYLE)

NOISE FIGURE, GAIN MSG

AND MAG vs. FREQUENCY

CE = 3 V, IC = 5 mA

MSG

MAG

3.0

39R (SOT 143R STYLE)

2.0

1.0

0.5

1.0

2.0

3.0

Frequency, f (GHz)

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE68133-T1B-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68133-T1B-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, LEAD FRE
NE68133-T1B-R34-A	RENESAS	获取价格	S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
NE68133-T1B-R35-A	RENESAS	获取价格	S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
NE68133-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
NE68135	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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NE68135-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN