是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.37 |
其他特性: | LOW NOISE | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 0.065 A | 基于收集器的最大容量: | 0.8 pF |
集电极-发射极最大电压: | 10 V | 配置: | SINGLE |
最高频带: | S BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e6 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 9000 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NE68139-T1 | CEL |
类似代替 ![]() |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE68139-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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NE681M03 | CEL |
获取价格 |
NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
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NE681M03-A | CEL |
获取价格 |
NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
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NE681M03-T1-A | CEL |
获取价格 |
NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
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NE681M13 | CEL |
获取价格 |
NECs NP SILICON TRANSISTOR |
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NE681M13-A | CEL |
获取价格 |
NECs NP SILICON TRANSISTOR |
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NE681M13-T3-A | CEL |
获取价格 |
NECs NP SILICON TRANSISTOR |
![]() |
NE681M23 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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NE68330 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 5MA I(C) |
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NE68333 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 5A I(C) |
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