5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NE681M13
NE681M13 PDF预览

NE681M13

更新时间： 2024-09-24 22:23:51
品牌 Logo 应用领域
CEL 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 149K
描述
NECs NP SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

NE681M13 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.065 A基于收集器的最大容量：0.9 pF
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：7000 MHzBase Number Matches：1

NE681M13 数据手册

 浏览型号NE681M13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE681M13的Datasheet PDF文件第3页 
NEC's NPN SILICON TRANSISTOR  
NE681M13  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
FEATURES  
PACKAGE OUTLINE M13  
•
NEW MINIATURE M13 PACKAGE:  
– Small transistor outline –  
1.0 X 0.5 X 0.5 mm  
+0.1  
–0.05  
+0.1  
0.5  
0.3  
0.15  
–0.05  
– Low profile / 0.50 mm package height  
– Flat lead style for better RF performance  
1
2
0.35  
•
•
HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:  
fT = 7 GHz  
+0.1  
–0.05  
+0.1  
–0.05  
1.0  
0.7  
3
3
0.2  
0.35  
LOW NOISE FIGURE:  
NF = 1.4 dB  
2
1
+0.1  
0.15  
–0.05  
0.1  
0.1  
0.2  
0.2  
DESCRIPTION  
Bottom View  
+0.1  
–0.05  
0.5±0.05  
0.125  
NEC's NE681M13 transistor is ideal for low noise, high gain,  
and low cost amplifier applications. NEC's new low profile/  
flat lead style "M13" package is ideal for today's portable  
wireless applications. The NE681 is also available in chip,  
Micro-x, and six different low cost plastic surface mount  
package styles.  
PIN CONNECTIONS  
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
EIAJ1 REGISTERED NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
NE681M13  
2SC5615  
M13  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
fT  
Gain Bandwidth at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
Noise Figure at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
Forward Current Gain at VCE = 3 V, IC = 7 mA  
Collector Cutoff Current at VCB = 10 V, IE = 0  
Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0  
GHz  
dB  
4.5  
7
NF  
1.4  
12  
2.7  
|S21E|2  
dB  
10  
80  
2
hFE  
145  
0.8  
0.8  
0.9  
ICBO  
IEBO  
µA  
µA  
pF  
3
CRE  
Feedback Capacitance at VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz  
Notes:  
1. Electronic Industrial Association of Japan.  
2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.  
3. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.  
California Eastern Laboratories  
123

中文翻译

下载PDF

与NE681M13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE681M13-A CEL

获取价格

 		NECs NP SILICON TRANSISTOR
NE681M13-T3-A CEL

获取价格

 		NECs NP SILICON TRANSISTOR
NE681M23 NEC

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
NE68330 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 5MA I(C)
NE68333 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 5A I(C)
NE68337 NEC

获取价格

 		NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68339 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 5MA I(C) | SOT-143
NE68339B ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 5MA I(C) | SOT-143
NE685 CEL

获取价格

 		SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE685 NEC

获取价格

 		SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

与NE681M13相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证