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NE685

更新时间： 2024-11-14 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 177K
描述
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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NE685 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DIE
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.03 A最高频带：L BAND
JESD-30 代码：DIE元件数量：2
封装形式：DIE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：12000 MHzBase Number Matches：1

NE685 数据手册

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SURFACE MOUNT NPN SILICON  
HIGH FREQUENCY TRANSISTOR  
NE685  
SERIES  
FEATURES  
• LOW COST  
• SMALL AND ULTRA SMALL SIZE PACKAGES  
• LOW VOLTAGE/LOW CURRENT OPERATION  
• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT of 12 GHz  
• NOISE FIGURES OF 1.5 dB AT 2.0 GHZ  
19 (3 PIN ULTRA SUPER  
MINI MOLD)  
18 (SOT 343 STYLE)  
DESCRIPTION  
30 (SOT 323 STYLE)  
33 (SOT 23 STYLE)  
NEC's family of high frequency, low cost, surface mount  
devices are well suited for portable wireless communications  
and cellular radio applications.  
The NE685 series of high fT (12 GHz) devices is suitable for  
very low voltage/low current, low noise applications. These  
products are ideal for applications up to 2.4 GHz where low  
cost, high gain, low voltage, and low current are prime con-  
cerns.  
39 (SOT 143 STYLE)  
39R (SOT 143R STYLE)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER1  
EIAJ2 REGISTERED NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
NE68518  
2SC5015  
18  
NE68519  
2SC5010  
19  
NE68530  
2SC4959  
30  
NE68533  
2SC4955  
33  
NE68539/39R  
2SC4957  
39  
SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX  
fT  
Gain Bandwidth Product at  
VCE = 3V, IC = 10 mA, f = 2.0 GHz  
GHz  
dB  
12  
12  
12  
12  
12  
NFMIN  
GNF  
Minimum Noise Figure at  
VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2.0 GHz  
1.5 2.5  
8.5  
1.5 2.5  
1.5 2.5  
1.5 2.5  
1.5 2.5  
7.5  
Associated Gain at  
VCE = 3V, IC = 3 mA, f = 2.0 GHz  
dB  
7.5  
11  
9
7
7
10.5  
8
MAG  
Maximum Available Gain at  
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2.0 GHz  
dB  
12  
10  
8.5  
11  
2
|S21E|  
Insertion Power Gain at  
VCE = 3V, IC =10 mA, f = 2.0 GHz  
dB  
9
11  
7
7
7
9
10  
hFE  
ICBO  
IEBO  
Forward Current Gain3 at  
VCE = 3 V, IC = 10 mA  
75 110 150 75 110 150 75 110 150 75 110 150 75 110 150  
Collector Cutoff Current  
at VCB = 5 V, IE = 0 mA  
µA  
µA  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
Emitter Cutoff Current  
at VEB = 1 V, IC = 0 mA  
4
CRE  
Feedback Capacitance at  
VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz  
pF  
0.3 0.5  
150  
0.4 0.7  
125  
0.4 0.7  
150  
0.4 0.7  
180  
0.3 0.5  
180  
PT  
Total Power Dissipation  
mW  
RTH(J-A)  
Thermal Resistance  
(Junction to Ambient)  
°C/W  
833  
200  
1000  
200  
833  
200  
620  
200  
620  
200  
RTH(J-C)  
Thermal Resistance(Junction to Case) °C/W  
Notes: 1. Precaution: Devices are ESD sensitive. Use proper handling procedures.  
2. Electronic Industrial Association of Japan.  
3. Pulsed measurement, PW≤350 µs, duty cycle ≤2%.  
4. The emitter terminal should be connected to the ground terminal  
of the 3 terminal capacitance bridge.  
California Eastern Laboratories  
1234567...17

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE68518 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-343R
NE68518-T1 NEC

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68518-T1-A CEL

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68519 NEC

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 		NONLINEAR MODEL
NE68519-T1 NEC

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68519-T1-A CEL

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68519-T2 CEL

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN
NE68530 NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
NE68530-T1 NEC

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NE68530-T1-A CEL

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