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NE685M13-T3

更新时间： 2024-09-25 20:30:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	114K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 1 X 0.50 MM, 0.50 MM HEIGHT, M13, 3 PIN

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NE685M13-T3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	1 X 0.50 MM, 0.50 MM HEIGHT, M13, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz	Base Number Matches：	1

NE685M13-T3 数据手册

NEC's NPN SILICON TRANSISTOR

NE685M13

OUTLINE DIMENSIONS ^{(Units in mm)}

FEATURES

PACKAGE OUTLINE M13

•

NEW MINIATURE M13 PACKAGE:

– Small transistor outline

– 1.0 X 0.5 X 0.5 mm

– Low profile / 0.50 mm package height

– Flat lead style for better RF performance

0.7±0.05

(Bottom View)

0.3

+0.1

0.5

ñ0.05

•

HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

fT = 12 GHz

LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.5 dB at 2 GHz

DESCRIPTION

NEC's NE685M13 transistor is designed for low noise, high

gain, and low cost requirements. This high fT part is well suited

for low voltage/low current designs for portable wireless

communications and cellular radio applications. NEC's new

low profile/flat lead style "M13" package is ideal for today's

portable wireless applications. The NE685 is also available in

six different low cost plastic surface mount package styles.

0.2

0.1

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE685M13

2SC5617

M13

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

Gain Bandwidth at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

Noise Figure at VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz, ZS = ZOPT

Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

Forward Current Gain at VCE = 3 V, IC = 10 mA

Collector Cutoff Current at VCB = 5 V, IE = 0

GHz

12.0

1.5

|S21E|²

2.5

7.0

11.0

hFE

140

0.1

0.7

ICBO

IEBO

µA

Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0

CRE

Feedback Capacitance at VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz

0.4

Notes:

1. Electronic Industrial Association of Japan.

2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.

3. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE685M13-T3-A	CEL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M23	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33-A	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33-FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
NE685M33-T3-A	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33-T3-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
NE686	NEC	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE686	CEL	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68618	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| SOT-343R

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