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NE68639R-T2

更新时间: 2024-11-13 14:43:55
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 449K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN

NE68639R-T2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.01 A
基于收集器的最大容量:0.5 pF集电极-发射极最大电压:3 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
最高频带:C BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):13500 MHz
Base Number Matches:1

NE68639R-T2 数据手册

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