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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NE68539-T1
NE68539-T1 PDF预览

NE68539-T1

更新时间： 2024-09-24 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 177K
描述
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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NE68539-T1 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.03 A基于收集器的最大容量：0.5 pF
集电极-发射极最大电压：6 V配置：SINGLE
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：12000 MHz
Base Number Matches：1

NE68539-T1 数据手册

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SURFACE MOUNT NPN SILICON  
HIGH FREQUENCY TRANSISTOR  
NE685  
SERIES  
FEATURES  
• LOW COST  
• SMALL AND ULTRA SMALL SIZE PACKAGES  
• LOW VOLTAGE/LOW CURRENT OPERATION  
• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT of 12 GHz  
• NOISE FIGURES OF 1.5 dB AT 2.0 GHZ  
19 (3 PIN ULTRA SUPER  
MINI MOLD)  
18 (SOT 343 STYLE)  
DESCRIPTION  
30 (SOT 323 STYLE)  
33 (SOT 23 STYLE)  
NEC's family of high frequency, low cost, surface mount  
devices are well suited for portable wireless communications  
and cellular radio applications.  
The NE685 series of high fT (12 GHz) devices is suitable for  
very low voltage/low current, low noise applications. These  
products are ideal for applications up to 2.4 GHz where low  
cost, high gain, low voltage, and low current are prime con-  
cerns.  
39 (SOT 143 STYLE)  
39R (SOT 143R STYLE)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER1  
EIAJ2 REGISTERED NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
NE68518  
2SC5015  
18  
NE68519  
2SC5010  
19  
NE68530  
2SC4959  
30  
NE68533  
2SC4955  
33  
NE68539/39R  
2SC4957  
39  
SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX  
fT  
Gain Bandwidth Product at  
VCE = 3V, IC = 10 mA, f = 2.0 GHz  
GHz  
dB  
12  
12  
12  
12  
12  
NFMIN  
GNF  
Minimum Noise Figure at  
VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2.0 GHz  
1.5 2.5  
8.5  
1.5 2.5  
1.5 2.5  
1.5 2.5  
1.5 2.5  
7.5  
Associated Gain at  
VCE = 3V, IC = 3 mA, f = 2.0 GHz  
dB  
7.5  
11  
9
7
7
10.5  
8
MAG  
Maximum Available Gain at  
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2.0 GHz  
dB  
12  
10  
8.5  
11  
2
|S21E|  
Insertion Power Gain at  
VCE = 3V, IC =10 mA, f = 2.0 GHz  
dB  
9
11  
7
7
7
9
10  
hFE  
ICBO  
IEBO  
Forward Current Gain3 at  
VCE = 3 V, IC = 10 mA  
75 110 150 75 110 150 75 110 150 75 110 150 75 110 150  
Collector Cutoff Current  
at VCB = 5 V, IE = 0 mA  
µA  
µA  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
Emitter Cutoff Current  
at VEB = 1 V, IC = 0 mA  
4
CRE  
Feedback Capacitance at  
VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz  
pF  
0.3 0.5  
150  
0.4 0.7  
125  
0.4 0.7  
150  
0.4 0.7  
180  
0.3 0.5  
180  
PT  
Total Power Dissipation  
mW  
RTH(J-A)  
Thermal Resistance  
(Junction to Ambient)  
°C/W  
833  
200  
1000  
200  
833  
200  
620  
200  
620  
200  
RTH(J-C)  
Thermal Resistance(Junction to Case) °C/W  
Notes: 1. Precaution: Devices are ESD sensitive. Use proper handling procedures.  
2. Electronic Industrial Association of Japan.  
3. Pulsed measurement, PW≤350 µs, duty cycle ≤2%.  
4. The emitter terminal should be connected to the ground terminal  
of the 3 terminal capacitance bridge.  
California Eastern Laboratories  
1234567...17

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE68539-T1-A CEL

获取价格

 		SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68539-T2 CEL

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN
NE685M03 NEC

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 		NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M03 CEL

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 		NPN SILICON TRANSISTOR
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